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龙图腾网获悉赣州市创发光电科技有限公司申请的专利一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116479390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310287522.3，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法是由黄信二;黄煜翔设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法在说明书摘要公布了：本发明的目是涉及一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法，首创使用溅镀低掺杂的铜合金薄膜50‑200nm在硅基异质结电池的透明导电膜50‑150nm上面，作为铜电镀金属化栅线所需的基础薄膜。低掺杂的铜合金材料，其他合金元素如镍、锆、钛、铬等,总添加量不超过5wt%。低掺杂的铜合金材料，有相似于纯铜的良好导电性,缩小铜材料的热涨冷缩特性,增加抗氧化性及耐候性,降低铜材料镀膜的粗糙度,增加与透明导电模的贴覆性，有助于后续铜电镀栅线5‑20um的制作,由于铜电镀栅线的密度高于网印低温银浆的栅线,所以导电性优于低温银浆，有助于提高异质结电池的转换效率,同时电镀铜栅线能降低硅基异质结电池的生产成本,利于大型的量产。

本发明授权一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：具体方法为： 1首先将完成PECVD工艺的异质结硅片、低掺铜合金靶材及透明导电膜靶材放入真空溅镀机中，真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr； 2接着先以脉冲DC电源溅镀正反面的50-150nm厚的透明导电薄膜，然后以DC电源溅镀第二层50-200nm厚的低掺铜薄膜； 3最后经过黄光制程、铜电镀制程及蚀刻制程形成铜金属栅线，即完成铜栅线金属化的硅基异质结电池的制作； 所述的低掺铜合金靶材的制备方法为：使用真空中频周波炉熔炼，在1200℃溶解铜及所掺杂元素的纯实质颗料，然后浇注在铸铁模具中成形，再经热压延及精密加工成直径是200nm，厚度是8mm的低掺铜合金靶材； 所述的掺杂元素为镍、锆、铬、钛中的一种或几种元素，其总添加量为0.1-5wt%； 铜栅线的拉力大于1.5Ncm2。

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