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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116499517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310104450.4，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器是由王晓毅;丁厚伯;刘钟一;谢会开设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CMOSMEMS集成流量、气体湿度传感器，具体涉及一种CMOSMEMS集成流量、气体湿度传感器及其制作方法；属于传感器领域。本发明的目的是为了克服现有技术的不足，填补领域的空白，实现单芯片同时检测气体流量与气体湿度的功能，提供一种CMOSMEMS集成流量、气体湿度传感器及其制作方法；该传感器充分利用了流量传感部分加热电阻的热量，极大地提高了能量的利用率，并且具有低功耗、高响应速度、低滞回的优势；采用无需掩模版操作的Post‑CMOS工艺，避免了复杂的光刻步骤，有效降低了整个器件的后处理复杂程度，大大提高了整个Post‑CMOS后处理的效率。

本发明授权一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器在权利要求书中公布了：1.一种CMOSMEMS集成流量、气体湿度传感器的制作方法，其特征在于：采用无需掩模版操作的Post-CMOS方法，包括如下步骤： 步骤1：CMOS裸片：在PAD区域设置金属层图案和金属via，使顶部两层金属之间充满二氧化硅材料，以便在金属刻蚀时，形成PAD区域的天然掩膜；在气体流量传感器区域设置多晶硅层图案，构成流量传感器的加热电阻和第一热敏电阻及第二热敏电阻；在气体流量传感器区域设置金属层图案及金属via，使加热电阻和第一热敏电阻及第二热敏电阻上方保留一层薄二氧化硅材料，形成加热电阻和第一热敏电阻及第二热敏电阻的天然掩膜，同时via直通硅衬底，成为后续硅刻蚀的通道；利用底层金属在气体流量传感器的加热电阻上方设置金属层图案以及金属via，形成气体湿度传感器的电极结构； 步骤2：使用RIE对步骤1中的CMOS裸片进行SiO2刻蚀，形成沟槽和微腔，使顶层金属铝和基底硅裸露； 步骤3：对步骤2所得芯片进行金属铝刻蚀，去掉顶层金属铝； 步骤4：采用RIE对步骤3所得芯片进行SiO2刻蚀，去除表层的SiO2，并露出位于中心加热电阻上方的气体湿度传感器的电极结构； 步骤5：对步骤4所得芯片进行DRIE硅刻蚀，SiO2以及金属层作为硅的掩膜，形成高深宽比的硅沟槽； 步骤6：对步骤5所得芯片进行XeF2各向同性干法刻蚀，释放传感器悬浮结构； 步骤7：对步骤6所得芯片进行敏感膜材料填充或沉积，使其填充或沉积在气体湿度传感器的电极结构上。

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