拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司王佳航获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116538531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310520132.6，技术领域涉及：F23Q3/00；该发明授权一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法是由王佳航;张赛谦;郭东设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法，涉及电子技术领域。该等离子体点火装置包括：射频电源、调节装置、射频匹配器、等离子体处理单元、控制单元、检测单元；射频电源通过调节装置连接射频匹配器，射频匹配器还连接等离子体处理单元的上电极，等离子体处理单元的下电极接地；检测单元连接等离子体处理单元的上电极，控制单元连接检测单元，控制单元还连接调节装置。从而，减少了等离子体的点火时间，提高了薄膜工艺的精度，减少了微粒的污染。
本发明授权一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体点火装置，其特征在于，所述等离子体点火装置包括：射频电源、调节装置、射频匹配器、等离子体处理单元、控制单元、检测单元； 所述射频电源通过所述调节装置连接所述射频匹配器，所述射频匹配器还连接所述等离子体处理单元的上电极，所述等离子体处理单元的下电极接地；其中，所述调节装置用于在所述射频电源开始上电时，对所述射频电源输出的电压进行调节，使得所述等离子体处理单元的上电极处于射频传输路径上所存在驻波的波腹，从而使得所述等离子体处理单元的上电极的电压达到理论最大值； 所述检测单元连接所述等离子体处理单元的上电极，所述控制单元连接所述检测单元，所述控制单元还连接所述调节装置； 所述调节装置包括：电压调节模块，所述射频电源连接所述电压调节模块的射频输入端，所述电压调节模块的射频输出端连接所述射频匹配器，所述电压调节模块的控制端还连接所述控制单元。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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