买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种叠层式双频带微波超材料吸波芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116544678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310726389.7，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种叠层式双频带微波超材料吸波芯片及其制备方法是由汪涵;朱世泉;王志刚设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种叠层式双频带微波超材料吸波芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种叠层式双频带微波超材料吸波芯片及其制备方法，属于微波超材料技术领域。本发明提供的叠层式双频带微波超材料吸波芯片，对K波段和Ka波段的微波在两个特定的频率处具有非常好的吸收性能，其中一个频带通过第一金属谐振方环对电磁波进行吸收，另一个频带通过第三金属谐振方环对电磁波进行吸收，通过调整金属谐振方环的尺寸，可以同时改变两个吸收频点的位置和吸收率，从而灵活实现特定频率的吸收。而且，在保证双频段高吸收率的情况下，大大减小了吸收芯片的体积，结构超薄，应用灵活，在雷达隐身、反雷达侦查等方面有着巨大的潜力。

本发明授权一种叠层式双频带微波超材料吸波芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种叠层式双频带微波超材料吸波芯片，其特征在于，由电谐振芯片和金属反射芯片堆叠而成； 所述金属反射芯片设置于所述电谐振芯片下方；所述电谐振芯片和金属反射芯片的中心在竖直方向上重合； 所述电谐振芯片由若干单元结构周期性阵列组成，所述单元结构包括金属谐振层和介质层；所述金属谐振层生长于所述介质层下方； 所述金属谐振层由设置于同一平面的第一金属谐振方环、第二金属谐振方环和第三金属谐振方环嵌套而成； 所述第一金属谐振方环、第二金属谐振方环和第三金属谐振方环同心设置，所述第一金属谐振方环设置于中心处，所述第二金属谐振方环设置于第一金属谐振方环的外侧，所述第三金属谐振方环设置于最外侧； 所述叠层式双频带微波超材料吸波芯片的制备方法，包括以下步骤： 采用介质层对应的材料，在硅片基底双面进行低压化学气相沉积，将所形成的介质层薄膜的单面进行光刻蚀，形成所需图形的介质层； 将所述介质层依次镀金属膜和光刻蚀，形成所需金属谐振方环结构的金属谐振层，得到电谐振芯片； 将硅片进行光刻蚀形成空腔，在所述空腔的表面镀金属膜后，得到金属反射芯片； 将电谐振芯片和金属反射芯片进行键合，形成堆叠式芯片； 将所述堆叠式芯片进行刻蚀，去除电谐振芯片多余的硅片基底，得到叠层式双频带微波超材料吸波芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。