安徽工程大学杨超获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽工程大学申请的专利一种CdS@ZnO芯鞘纳米阵列光电催化剂及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116603540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310556485.1，技术领域涉及：B01J27/04；该发明授权一种CdS@ZnO芯鞘纳米阵列光电催化剂及其制备方法和应用是由杨超;曹勇;李思琪;魏雅楠设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CdS@ZnO芯鞘纳米阵列光电催化剂及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CdSZnO芯鞘纳米阵列光电催化剂及其制备方法和应用，首先通过水热法在FTO导电玻璃上生长出致密的CdS纳米棒阵列材料，之后通过原子层沉积在CdS纳米棒阵列材料上沉积ZnO，得到CdS@ZnO芯鞘结构纳米棒阵列，该制备方法简单，且沉积的ZnO的厚度可控，可根据不同的需求任意调节CdS纳米棒阵列材料表面ZnO的厚度，获得优异的异质结结构，提升载流子的传输与分离效率，进而提升其催化性能。
本发明授权一种CdS@ZnO芯鞘纳米阵列光电催化剂及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种CdS@ZnO芯鞘纳米棒阵列光电催化剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 1将镉盐、硫脲、谷胱甘肽溶解于超纯水中，转移到反应釜中，放入FTO导电玻璃且保持其涂层面朝下，于180～200℃水热反应4.5～6.0h，反应结束后经清洗、烘干，即可得到长有CdS纳米棒阵列材料的FTO导电玻璃； 2将长有CdS纳米棒阵列材料的FTO导电玻璃固定在硅片上送入原子层沉积设备腔内，分别以二乙基锌和超纯水作为锌源和氧源，经原子层沉积在CdS纳米棒阵列材料表面生长出ZnO； 步骤1中，镉盐、硫脲、谷胱甘肽的摩尔比为0.2～0.7：0.4～0.8：0.05～0.5；所述镉盐在超纯水中的浓度为0.005～0.025M； 所述CdS@ZnO芯鞘纳米棒阵列光电催化剂中，CdS与ZnO的摩尔比为5～8：1；氧化锌层的厚度为0.2～8nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽工程大学，其通讯地址为：241000 安徽省芜湖市鸠江区北京中路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励