安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310534293.0，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件是由李水清;王星河;张会康;黄军;胡志勇;蒙磊;季徐芳;陈三喜;张江勇设计研发完成，并于2023-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件。该半导体激光元件中的有源层与上波导层之间、有源层与下波导层之间具有二维声子与三维电荷传输层，该层为SnSe、AgSbT2、SnTe、ZrNiSn、Bi2Te3、NbFeSb一种以上组成的二维莫尔超晶格结构；该层能促进电子杂化，引入声子振动的局域应变调制，提升原子有序性，降低声子散射，同时增强相变诱导电子轨道重叠和二维声子与三维电荷传输，降低激光器的价带带阶，增强载流子局域化、空穴输运和激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，增强双极性电导，提升室温内下连续振荡，增强限制因子和峰值增益，降低激光器的电压，提升激光元件的光功率和斜率效率。
本发明授权一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于，所述下波导层102和有源层103之间设置有第一二维声子与三维电荷传输层1071，所述有源层103和上波导层104之间设置有第二二维声子与三维电荷传输层1072，所述第一二维声子与三维电荷传输层1071和第二二维声子与三维电荷传输层1072相同或相异，且均为SnSe、AgSbT2、SnTe、ZrNiSn、Bi2Te3、NbFeSb的任意一种或两种以上组合形成的二维莫尔超晶格结构。
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