北京梦之墨科技有限公司吴功园获国家专利权
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龙图腾网获悉北京梦之墨科技有限公司申请的专利一种邦定电极及其制作方法、邦定结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116913611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310930863.8，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权一种邦定电极及其制作方法、邦定结构是由吴功园设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种邦定电极及其制作方法、邦定结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种邦定电极及其制作方法、邦定结构，涉及ACF膜邦定技术领域。该邦定电极的制作方法，包括：在承印基材上形成具有第一流变性的印刷电极，对印刷电极进行一次固化处理，使印刷电极自第一流变性降低至第二流变性；再对印刷电极进行模压处理，在印刷电极上形成用以阻碍ACF膜中导电粒子溢出的槽状纹理；其中，槽状纹理支持ACF膜中导电粒子的部分躯体暴露在槽状纹理之外。本发明实施例中通过在印刷电极上产生槽状纹理，可以在ACF膜在热压邦定过程中对导电粒子的溢出产生阻碍，从而提升邦定结构对导电粒子的捕获量，提升邦定结构的导电互连性能。另一方面，由于槽状纹理对于导电粒子的溢出阻碍，可以降低溢出粒子造成横向互连，导致ACF膜失效的问题。
本发明授权一种邦定电极及其制作方法、邦定结构在权利要求书中公布了：1.一种邦定电极的制作方法，其特征在于，包括： 在承印基材上形成具有第一流变性的印刷电极，对所述印刷电极进行一次固化处理，使所述印刷电极自第一流变性降低至第二流变性； 再对所述印刷电极进行模压处理，在所述印刷电极上形成用以阻碍ACF膜中导电粒子溢出的槽状纹理； 其中，所述槽状纹理中的凹槽的槽宽和或槽深支持所述ACF膜中导电粒子的局部卡持或陷入在所述凹槽内，使导电粒子仍有部分躯体暴露在所述凹槽之外。
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