TCL科技集团股份有限公司侯文军获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种空穴传输薄膜、光电器件及制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116981280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420932.6，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件及制备方法、显示装置是由侯文军;杨一行设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空穴传输薄膜、光电器件及制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种空穴传输薄膜、光电器件及制备方法、显示装置，空穴传输薄膜包括第一聚合物和第二聚合物，并且从空穴传输薄膜的一面到另一面，第二聚合物的含量递增或递减，第一聚合物是由含芴的基团和含三苯胺的基团形成的嵌段共聚物，第二聚合物是由含芴的基团和含三苯胺的基团形成的嵌段共聚物；其中，第二聚合物中含三苯胺的基团在第二聚合物中的摩尔分数小于第一聚合物中含三苯胺的基团在第一聚合物中的摩尔分数，并且第二聚合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代。本申请的空穴传输薄膜不存在材料界面，无界面互溶的问题，可以提高光电器件的电流效率。
本发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件及制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种空穴传输薄膜，其特征在于，所述空穴传输薄膜包括第一聚合物和第二聚合物，并且从所述空穴传输薄膜的一面到另一面，所述第二聚合物的含量递增或递减； 所述第一聚合物是由含芴的基团和含三苯胺的基团形成的嵌段共聚物，所述第二聚合物是由含芴的基团和含三苯胺的基团形成的嵌段共聚物；其中，所述第二聚合物中含三苯胺的基团在所述第二聚合物中的摩尔分数小于所述第一聚合物中含三苯胺的基团在所述第一聚合物中的摩尔分数，并且所述第二聚合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL科技集团股份有限公司，其通讯地址为：516000 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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