中国科学技术大学曾令辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种磁控溅射原位制备石墨烯的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117144316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311152907.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种磁控溅射原位制备石墨烯的方法是由曾令辉;许小亮;朱立新;江大亨;马长丘设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁控溅射原位制备石墨烯的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁控溅射原位制备大面积石墨烯层的方法，其步骤如下：1制备对二甲苯二聚体块靶材；2在硅衬底上用磁控溅射法生长碳薄膜；3通过快速退火的方法使碳薄膜石墨化形成石墨烯薄膜。本发明通过原位磁控溅射法制备了大尺寸的石墨烯，其优点是工艺简单、价格低廉、面积可调、原位制备避免了褶皱的产生。有利于实现石墨烯在硅基平台的大规模应用,也可推广至其它耐高温的硬性或柔性衬底材料如SiNx,SiC，AlNx，ZnO等。
本发明授权一种磁控溅射原位制备石墨烯的方法在权利要求书中公布了：1.一种磁控溅射原位制备大面积石墨烯层的方法，其步骤如下： 1制备靶材 选择对二甲苯二聚体为碳源，通过粉末压片机将对二甲苯二聚体粉末压成饼状对二甲苯二聚体块； 2清洗衬底 将衬底分别浸泡在丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗，以去除SiO2Si衬底表面的有机无机粒子以及灰尘颗粒，并用氮气吹干待用； 3镀膜 通过磁控溅射法在SiO2Si衬底上制备对二甲苯聚体薄膜； 4高温退火使对二甲苯聚体石墨化，形成石墨烯 将前面制备的样品放入快速退火炉中，设置升温曲线升温程序，退火得到石墨烯薄膜。
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