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龙图腾网获悉北京铭镓半导体有限公司申请的专利一种Si：Ga2O3薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117403207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311342720.1，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种Si：Ga2O3薄膜及其制备方法是由陈旭;孟冬冬;葛坤鹏;陈政委设计研发完成，并于2023-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Si：Ga2O3薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体薄膜材料技术领域，具体公开了一种Si:Ga2O3薄膜及其制备方法。本申请提供的Si:Ga2O3薄膜包括衬底、以及衬底上生长的外延薄膜；Si:Ga2O3薄膜中，Si原子与Ga原子的摩尔比为6.97×10‑6~9.06×10‑2：100；上述Si:Ga2O3薄膜的制备方法包括以下步骤：Fe:Ga2O3衬底清洗，将Fe:Ga2O3衬底置于MOCVD反应腔，以有机镓化合物作为镓源、无机硅源作为掺杂源、氩气作为载气，反应腔加热使Fe:Ga2O3衬底表面生长外延薄膜；经原位退火处理获得Si:Ga2O3薄膜。本申请提供的Si:Ga2O3薄膜的制备方法能够实现Si原子流量的精准控制，获得的Si:Ga2O3薄膜的表面粗糙度低、电学参数可控，能够满足不同类型功率器件的制备需求。

本发明授权一种Si：Ga2O3薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si:Ga2O3薄膜，其特征在于，所述Si:Ga2O3薄膜包括衬底、以及衬底上生长的外延薄膜；所述Si:Ga2O3薄膜中，Si原子与Ga原子的摩尔比为6.97×10-6~9.06×10-2：100；所述衬底为010取向的Fe:Ga2O3衬底； 所述Si:Ga2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：Fe:Ga2O3衬底清洗；然后将Fe:Ga2O3衬底置于MOCVD反应腔，以有机镓化合物作为镓源、无机硅作为硅掺杂源、氩气作为载气，反应腔加热使Fe:Ga2O3衬底表面生长外延薄膜；最后经原位退火处理，获得Si:Ga2O3薄膜； 所述外延薄膜生长过程中，进入反应腔的Si原子的流速为9.8×10-12~1.2×10-7molmin，进入反应腔的Ga原子的流速为1.4×10-4~1.5×10-4molmin。

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