天津大学姜辉获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种气相制备具有磷官能团的MXene二维材料的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117466297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311470624.5,技术领域涉及:C01B32/921;该发明授权一种气相制备具有磷官能团的MXene二维材料的方法是由姜辉;朱家民;崔振铎;梁砚琴;朱胜利设计研发完成,并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气相制备具有磷官能团的MXene二维材料的方法在说明书摘要公布了:本发明属于新型二维材料技术领域,具体涉及一种气相制备具有磷官能团的MXene二维材料的方法。本发明公开了一种气相两步法制备具有磷官能团的MXene二维材料的方法,通过气相刻蚀固体MAX相粉末可以直接得到固体Ti3C2Br2MXene粉末,再次气相置换直接得到Ti3C2PBrxMXene粉末。在两次反应中副产物均可通过气相运输沉积在低温区,无需进行MXene和副产物的分离处理,避免了MXene在湿法刻蚀和置换后续处理中可能发生的氧化问题;同时,该方法相比熔盐法的磷置换效率高,达到了理论摩尔比例。置换后的具有磷官能团的Ti3C2PBrxMXene在能源存储等领域有着潜在的应用。
本发明授权一种气相制备具有磷官能团的MXene二维材料的方法在权利要求书中公布了:1.一种气相制备具有磷官能团的MXene二维材料的方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一、将MAX相和刻蚀气体前驱体放置在密封且相互隔离的安瓿管中,所述MAX相包括Ti3AlC2粉末,刻蚀气体前驱体包括CuBr2;Al和Br的摩尔比为Al:Br=1:10; 步骤二、将步骤一的安瓿管放置在两段控温管式炉中,装有MAX相以及刻蚀气体前驱体的一端放置在高温区,另一端放置在低温区,刻蚀结束后自然降温至室温; 步骤三、将步骤二得到的冷却后的安瓿管进行切割处理,收集粉末; 步骤四、将步骤三得到的粉末和单质红磷放置在安瓿管的一端,硼氢化钠放置在另一端,单质红磷与Br的摩尔比为3:5;将安瓿管进行真空密封,封管时真空度低于5Pa; 步骤五、将步骤四真空密封的安瓿管放置在两段控温管式炉中,装有粉末以及单质红磷的一端放置在区域一,装有硼氢化钠的一端放置在区域二;先将区域二升温至500℃,然后将区域二降温至300℃,同时将区域一升温至600℃,待置换反应结束后自然降温至室温,升温速度为10℃min;置换反应时间为5小时; 步骤六、将步骤五得到的冷却后的安瓿管进行切割处理,收集得到的粉末为具有磷官能团的MXene二维材料。
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