锐石创芯(深圳)科技股份有限公司李镁钰获国家专利权
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龙图腾网获悉锐石创芯(深圳)科技股份有限公司申请的专利低噪声放大电路的版图结构、射频芯片及射频前端模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117749107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311853154.0，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权低噪声放大电路的版图结构、射频芯片及射频前端模组是由李镁钰;奉靖皓;田昱;宋楠;吴昊;李海著;张艺;倪建兴设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本低噪声放大电路的版图结构、射频芯片及射频前端模组在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组，其中低噪声放大电路包括放大晶体管和偏置晶体管，放大晶体管包括沿第一方向排列的第一放大单元和第二放大单元，第一放大单元为常通单元，第二放大单元用于根据对应的增益档位控制信号导通；偏置晶体管与放大晶体管连接，并且，偏置晶体管包括第一偏置单元和第二偏置单元，第一偏置单元和第二偏置单元沿第一方向布设在第一放大单元的两侧，其中，第一偏置单元或第二偏置单元设置在第一放大单元与第二放大单元之间。通过将偏置晶体管拆分为至少两个偏置单元，使偏置晶体管与放大晶体管因工艺偏差对增益的影响互相抵消，从而提升低噪声放大电路的增益准确性。
本发明授权低噪声放大电路的版图结构、射频芯片及射频前端模组在权利要求书中公布了：1.一种低噪声放大电路的版图结构，其特征在于，包括： 放大晶体管，所述放大晶体管包括第一放大单元； 偏置晶体管，所述偏置晶体管包括第一偏置单元和第二偏置单元，所述第一偏置单元的栅极与所述第一放大单元的栅极连接，所述第二偏置单元的栅极与所述第一放大单元的栅极连接，所述第一偏置单元的源极与所述第二偏置单元的源极连接，所述第一偏置单元的漏极与所述第二偏置的漏极连接；所述第一偏置单元临近于所述第一放大单元的一侧设置；所述第二偏置单元与所述第一偏置单元之间间隔所述第一放大单元。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐石创芯(深圳)科技股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋2001；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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