买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉巴斯夫杉杉电池材料有限公司申请的专利一种高容量、低残钠的钠离子电池层状正极材料及其制备方法及钠离子电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311803899.6，技术领域涉及：H01M4/505；该发明授权一种高容量、低残钠的钠离子电池层状正极材料及其制备方法及钠离子电池是由袁新光;胡进;丁楚雄;褚曼曼设计研发完成，并于2023-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高容量、低残钠的钠离子电池层状正极材料及其制备方法及钠离子电池在说明书摘要公布了：一种高容量、低残钠的钠离子电池层状正极材料及其制备方法及钠离子电池，所述钠离子电池层状正极材料的化学式为NaaM1bNiwFexMnyCuzM21‑w‑x‑y‑zO2，其中，M1包括Ca、Li或K中的一种或多种，M2包括Mg、Zn、Al、Zr、Ti、Nb、Mo、Y、Ta、W、Sr、Ba、B或P中的一种或多种，0.85≤a＜0.98，0＜b≤0.05，且0.90≤a+b≤0.98，w≥0.1，x≥0.1，y≥0.1，z≥0，0.9≤w+x+y+z≤1.0。本发明通过同时调控钠元素与M1掺杂元素的化学计量，在改善钠离子电池层状正极材料残碱的同时，使用与钠离子半径或化学性质相近的M1元素进行掺杂，得到的钠离子电池层状正极材料具有低残碱和高容量的特点。

本发明授权一种高容量、低残钠的钠离子电池层状正极材料及其制备方法及钠离子电池在权利要求书中公布了：1.一种高容量、低残钠的钠离子电池层状正极材料，其特征在于，所述钠离子电池层状正极材料的化学式为NaaM1bNiwFexMnyCuzM21-w-x-y-z，其中，M1为第一掺杂元素，包括Ca或K中的一种或多种，M2为第二掺杂元素，包括Mg、Zn、Al、Zr、Ti、Nb、Mo、Y、Ta、W、Sr、Ba、B或P中的一种或多种，0.85≤a＜0.98，0＜b≤0.05，且0.90≤a+b≤0.98，w≥0.1，x≥0.1，y≥0.1，z≥0，0.9≤w+x+y+z≤1.0；所述钠离子电池层状正极材料中含有氧化物杂相，所述氧化物杂相的总质量在钠离子电池层状正极材料中的质量百分比不超过2wt%；所述氧化物杂相包括NiO、CuO或ZnO中的一种或多种，所述钠离子电池层状正极材料的表面残钠NaCO不高于0.15wt%，NaOH不高于0.10wt%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人巴斯夫杉杉电池材料有限公司，其通讯地址为：410205 湖南省长沙市长沙高新开发区金洲大道90号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。