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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118099245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410484598.X，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由李慧敏;徐孟雷;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，背接触太阳能电池包括：基底，基底具有第一掺杂区、第二掺杂区以及间隔区；位于相应的第一掺杂区上的第一掺杂半导体层；位于相应的第二掺杂区上的第二掺杂半导体层；第二掺杂半导体层内具有与第一掺杂元素的导电类型不同的第二掺杂元素；导电层，导电层位于间隔区的部分区域上，导电层的一侧与第一掺杂半导体层电接触，导电层的另一侧与第二掺杂半导体层电接触；钝化层，钝化层覆盖第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、导电层以及间隔区；第一电极，第一电极与第一掺杂半导体层电接触；第二电极，第二电极与第二掺杂半导体层电接触。

本发明授权背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 基底100，所述基底100具有沿第一方向Y排布的多个第一掺杂区101，相邻的所述第一掺杂区101之间具有第二掺杂区102，所述第一掺杂区101与所述第二掺杂区102之间具有间隔区103； 第一掺杂半导体层120，所述第一掺杂半导体层120位于相应的所述第一掺杂区101上；所述第一掺杂半导体层120内具有第一掺杂元素； 第二掺杂半导体层140，所述第二掺杂半导体层140位于相应的所述第二掺杂区102上；所述第二掺杂半导体层140内具有与第一掺杂元素的导电类型不同的第二掺杂元素； 至少一个导电层110，所述导电层110位于所述间隔区103的所述基底上，所述导电层110的一侧与所述第一掺杂半导体层120的侧面电接触，所述导电层110的另一侧与所述第二掺杂半导体层140的侧面电接触；所述间隔区103的延展长度为第一长度，所述导电层110与所述第一掺杂半导体层120相接触的接触长度为第二长度，所述第二长度L1与所述第一长度的比值为10％～30％；其中，所述第二掺杂区102环绕所述第一掺杂区101，所述间隔区103的内周长为所述间隔区103的延展长度； 所述第二掺杂半导体层140的顶面低于所述第一掺杂半导体层120的顶面，所述导电层110包括第一导电层116、第二导电层117以及帽檐结构118，所述第一导电层116位于所述第一掺杂半导体层120的侧面，所述第二导电层117位于所述第一掺杂半导体层120的表面，所述第一导电层116与所述第二导电层117的底面之间形成锐角，且所述帽檐结构118位于所述第一导电层116与所述第二导电层117的交界处，所述帽檐结构118的侧面为弧面；所述第一导电层116在投影面的正投影为第一投影，所述第二导电层117在所述投影面的正投影为第二投影，所述第一投影与所述第二投影至少部分重叠，以使所述第一导电层的底面与第二导电层的表面围成内凹结构； 钝化层115，所述钝化层115覆盖所述第一掺杂半导体层120、所述第二掺杂半导体层140、所述导电层110以及所述间隔区103； 第一电极151，所述第一电极151与所述第一掺杂半导体层120电接触； 第二电极152，所述第二电极152与所述第二掺杂半导体层140电接触。

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