买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利背接触太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410307949.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触太阳电池及其制备方法是由孟子博;李宏伟;霍亭亭;侯承利;殷志豪;白焱辉;杨广涛;陈达明设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背接触太阳电池及其制备方法。本发明的背接触太阳电池的制备方法，针对背接触电池的N区和P区绝缘采用较厚的氧化硅层进行绝缘，实现物理绝缘，在组件端不需要额外的绝缘手段。针对硅基底正面钝化，采用厚氧化铝、氮化硅的结合进行钝化，利用厚氧化铝的绝缘性对空穴传输进行阻挡和氧化铝薄膜自带的高密度负电荷在硅基底正面组成PN结对电子进行阻挡，氧化铝和氮化硅叠层的使用降低了背接触太阳电池正面钝化的成本的同时，保证了良好的光学性能。

本发明授权背接触太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在硅基底的背面制备隧穿氧化层以及多晶硅层； 对硅基底的正面进行单面制绒以及制备第一钝化层； 对硅基底的正面与背面分别制备第二钝化层； 对硅基底的背面进行第一次激光开模，去除预设P区域的部分所述多晶硅层与部分所述隧穿氧化层； 对硅基底的正面与背面分别制备绝缘层； 对硅基底的背面进行第二次激光开模，去除预设P区域的部分所述绝缘层； 在硅基底的背面依次制备本征非晶硅层和掺杂层，所述掺杂层的掺杂类型与所述多晶硅层的类型不同； 对硅基底的背面上与所述预设P区域间隔分布的预设N区域进行第三次激光开模，获得第一槽与第二槽，其中所述第一槽延伸至所述多晶硅层，所述第二槽延伸至所述硅基底； 去除所述预设N区域的所述掺杂层和所述本征非晶硅层，保留所述预设P区域与所述预设N区域之间的部分所述绝缘层； 在硅基底的背面制备透明导电薄膜，并对所述透明导电薄膜进行激光开槽，以实现所述透明导电薄膜在预设N区域与预设P区域之间隔断；以及 在所述预设P区域以及所述第一槽上分别制备金属电极； 其中，所述绝缘层为氧化硅层，所述绝缘层的厚度为不小于100nm；所述第一钝化层为氧化铝层；所述第二钝化层为氮化硅层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。