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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种空腔型体声波谐振器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118199543B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410247679.8，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种空腔型体声波谐振器的制备方法是由李国强;李陈阳;欧阳佩东;胡晗;罗添友设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种空腔型体声波谐振器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种空腔型体声波谐振器的制备方法，该空腔型体声波谐振器包括第一衬底、谐振器单元和第二衬底。其中该空腔型体声波谐振器的制备方法包括以下步骤：在第一衬底的上表面形成谐振器单元；对第一衬底的下表面开挖空槽，并使得空槽贯穿至第一衬底的上表面；将第二衬底与第一衬底的下表面进行键合，空槽构成空腔。本申请在第一衬底的上表面形成谐振器单元后再开设空槽，并且通过第一衬底与第二衬底的键合在空槽处形成空腔，不需要先生长牺牲层，空腔的开设尺寸也能够更加精准，避免发生因牺牲层释放而导致的压电层等功能层的薄膜质量降低以及器件的结构受损，进而使得器件的机械稳定性和电学性能下降的问题。

本发明授权一种空腔型体声波谐振器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括： 一种空腔型体声波谐振器，所述空腔型体声波谐振器包括： 第一衬底100，所述第一衬底100开设有空槽110，所述空槽110的两端分别贯穿至所述第一衬底100的上表面和下表面； 谐振器单元200，所述谐振器单元200包括底电极210、压电层220和顶电极230，所述底电极210位于所述第一衬底100的上表面，所述压电层220位于所述底电极210的上表面，所述顶电极230位于所述压电层220的上表面； 第二衬底300，所述第二衬底300位于所述第一衬底100的下表面； 对于所述空腔型体声波谐振器的制备方法包括以下步骤： 在所述第一衬底100的上表面形成所述谐振器单元220，依次将所述底电极210形成于所述第一衬底100的上表面，将所述压电层220形成于所述底电极210的上表面，将所述顶电极230形成于所述压电层200的上表面； 对所述第一衬底100的下表面开挖所述空槽110，并使得所述空槽110贯穿至所述第一衬底100的上表面； 将所述第二衬底300与所述第一衬底100的下表面进行键合，所述空槽110构成空腔。

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