物元半导体技术(青岛)有限公司王文彬获国家专利权
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龙图腾网获悉物元半导体技术(青岛)有限公司申请的专利半导体制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118280834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410372544.4，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权半导体制造方法及半导体结构是由王文彬;曹学文;李亨;颜天才;杨列勇设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，该半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一晶圆，在晶圆的正面形成有沟槽；在晶圆的正面和背面沉积介质层；在晶圆的正面和背面的介质层之上沉积多晶硅，形成位于晶圆正面的第一多晶硅层和位于晶圆背面的第二多晶硅层，第一多晶硅层填充沟槽且覆盖至沟槽的开口之上；对晶圆的背面执行离子注入，以将第二多晶硅层部分或全部转变为非晶态硅层；对晶圆的正面的第一多晶硅层和背面的非晶态硅层同时进行刻蚀，在刻蚀过程中，非晶态硅层的刻蚀速率大于所述第一多晶硅层的刻蚀速率。该半导体制造方法可以调整晶圆两侧的应力，有效解决晶圆发生的翘曲问题。
本发明授权半导体制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一晶圆，在所述晶圆的正面形成有沟槽； 在所述晶圆的正面和背面沉积介质层； 在所述晶圆的正面和背面的介质层之上沉积多晶硅，形成位于所述晶圆正面的第一多晶硅层和位于所述晶圆背面的第二多晶硅层，所述第一多晶硅层填充所述沟槽且覆盖至所述沟槽的开口之上； 对所述晶圆的背面执行离子注入，以将所述第二多晶硅层部分或全部转变为非晶态硅层； 对所述晶圆的正面的所述第一多晶硅层和背面的所述非晶态硅层同时进行刻蚀，在刻蚀过程中，所述非晶态硅层的刻蚀速率大于所述第一多晶硅层的刻蚀速率； 当正面的所述第一多晶硅层刻蚀到所需厚度停止刻蚀，刻蚀后所述晶圆背面所保留的所述非晶态硅层的厚度或所述第二多晶硅层和所述非晶态硅层的厚度之和小于所述晶圆正面所保留的所述第一多晶硅层的厚度。
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