买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211739701.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由张乃千;孙琳琳设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于所述衬底一侧的外延结构；位于所述外延结构远离所述衬底一侧的多个栅极，所述栅极沿第一方向延伸，多个所述栅极沿第二方向排列；所述第一方向和所述第二方向相交且均与所述衬底所在平面平行；多个所述栅极包括第一栅极和第二栅极，沿所述第二方向，所述第一栅极位于所述第二栅极靠近半导体器件边缘的一侧；所述第一栅极的最高温度为T1，所述第二栅极的最高温度为T2，其中，T2‑T1T1≤20％。采用上述技术方案，可以使半导体器件的温度均匀分布，能够减少器件射频性能衰退及提高输出功率。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的外延结构； 位于所述外延结构远离所述衬底一侧的多个栅极，所述栅极沿第一方向延伸，多个所述栅极沿第二方向排列；所述第一方向和所述第二方向相交且均与所述衬底所在平面平行； 多个所述栅极包括第一栅极和第二栅极，沿所述第二方向，所述第一栅极位于所述第二栅极靠近半导体器件边缘的一侧；所述第一栅极的最高温度为T1，所述第二栅极的最高温度为T2，其中，T2-T1T1≤20%； 其中，所述半导体器件还包括位于所述外延结构远离所述衬底一侧的多个源极，所述源极沿所述第一方向延伸，多个所述源极沿所述第二方向排列； 多个所述源极包括第一源极和第二源极，沿所述第二方向，所述第一源极与所述第一栅极相邻设置，所述第二源极与所述第二栅极相邻设置，且所述第一源极位于所述第二源极靠近所述半导体器件边缘的一侧； 所述半导体器件还包括贯穿所述衬底和所述外延结构的通孔，所述通孔包括第一类通孔和第二类通孔，沿所述半导体器件的厚度方向，所述第一源极与所述第一类通孔交叠，所述第二源极与所述第二类通孔交叠； 其中，所述第一类通孔的开口面积总和大于所述第二类通孔的开口面积总和；或者，沿所述第一方向，所述第一类通孔的中心位于所述第二类通孔的中心靠近所述半导体器件的中心的一侧；或者，沿所述第二方向，相邻两个所述栅极之间存在栅间距；多个所述栅间距包括沿所述第二方向靠近所述半导体器件边缘一侧的第一栅间距以及位于所述第一栅间距远离所述半导体器件边缘一侧的第二栅间距；沿所述第二方向，所述第一栅间距小于所述第二栅间距。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州能讯高能半导体有限公司，其通讯地址为：215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。