英诺赛科(珠海)科技有限公司黄敬源获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利氮化物基半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118302863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280074917.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权氮化物基半导体器件及其制造方法是由黄敬源;刘阳;周以伦设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物基半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层，n型掺杂的氮化物基半导体层，p型掺杂的氮化物基半导体层和电极。第一氮化物基半导体层具有第一部分和第二部分，其中第一部分的厚度大于第二部分的厚度并被第二部分包围。第二氮化物基半导体层设置在第一部分上并具有比第一氮化物基半导体层大的带隙。n型掺杂的氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层的第二部分上。p型掺杂的氮化物基半导体层设置在n型掺杂的氮化物基半导体层上并与其接触。电极穿过p型掺杂的氮化物基半导体层以与n型掺杂的氮化物基半导体层接触。
本发明授权氮化物基半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一氮化物基半导体层，其具有第一部分和第二部分，其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度并被所述第二部分包围； 第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一部分上并具有比所述第一氮化物基半导体层大的带隙； n型掺杂的氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层的所述第二部分上； p型掺杂的氮化物基半导体层，其设置在所述n型掺杂的氮化物基半导体层上并与所述n型掺杂的氮化物基半导体层接触；以及 电极，其穿过所述p型掺杂的氮化物基半导体层以与所述n型掺杂的氮化物基半导体层接触； p型掺杂的氮化物基半导体层覆盖n型掺杂的氮化物基半导体层的侧壁。
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