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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种单晶AlN薄膜体声波双工器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118337180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410524799.8，技术领域涉及：H03H9/70；该发明授权一种单晶AlN薄膜体声波双工器及其制备方法是由李国强;张一诺;欧阳佩东;罗添友设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶AlN薄膜体声波双工器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种单晶AlN薄膜体声波双工器及其制备方法，体声波双工器包括接收滤波器和发射滤波器，接收滤波器包括第一衬底、第一谐振器单元、介电层和第一键合结构；发射滤波器包括第二衬底、第二谐振器单元和第二键合结构；其中，第一键合结构与第二键合结构相互键合，第二谐振器单元的第二顶电极层与第一谐振器单元的第一顶电极层或介电层键合。本申请通过倒装键合的方式使得接收滤波器和发射滤波器连接在一起，结构紧凑且无需为不同滤波器分区；同时，倒装键合方式也使得第一压电层和第二压电层采用单晶AlN薄膜作为压电材料成为可能，提高了薄膜体声波双工器的隔离度、插入损耗等性能。本申请涉及半导体制造领域。

本发明授权一种单晶AlN薄膜体声波双工器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶AlN薄膜体声波双工器，其特征在于，包括接收滤波器100和发射滤波器200： 所述接收滤波器100包括： 第一衬底110，所述第一衬底110开设有第一空气腔111； 第一谐振器单元120，所述第一谐振器单元120包括依次铺贴的第一底电极层121、第一压电层122和第一顶电极层123，所述第一底电极层121形成于所述第一衬底110的表面并覆盖所述第一空气腔111，所述第一压电层122采用单晶AIN薄膜作为压电材料； 介电层130，所述介电层130形成于所述第一衬底110的表面； 第一键合结构140，所述第一键合结构140形成于所述第一衬底110的表面边缘； 所述发射滤波器200包括： 第二衬底210，所述第二衬底210开设有第二空气腔211； 第二谐振器单元220，所述第二谐振器单元220包括依次铺贴的第二底电极层221、第二压电层222和第二顶电极层223，所述第二底电极层221形成于所述第二衬底210的表面并覆盖所述第二空气腔211，所述第二压电层222采用单晶AIN薄膜作为压电材料； 第二键合结构230，所述第二键合结构230形成于所述第二衬底210的表面边缘； 其中，所述第一键合结构140与所述第二键合结构230相互键合，所述发射滤波器200倒扣在所述接收滤波器100上，部分的所述第二顶电极层223与所述第一顶电极层123键合，部分的所述第二顶电极层223与所述介电层130键合。

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