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龙图腾网获悉广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请的专利一种直流电阻加热器及SiC单晶生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118382161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410318990.7，技术领域涉及：H05B3/00；该发明授权一种直流电阻加热器及SiC单晶生长装置是由于国建;请求不公布姓名;徐南设计研发完成，并于2024-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种直流电阻加热器及SiC单晶生长装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种直流电阻加热器及SiC单晶生长装置，直流电阻加热器包括底部发热体及中部发热体；底部发热体用于加热坩埚内物料装填区底部的物料，中部发热体用于加热坩埚内物料装填区中上部的物料，且中上部物料的中部发热体沿轴向单位长度的发热量大于底部发热体沿轴向单位长度的发热量，如此，可以在物料的底部与中上部之间形成轴向温度梯度，使得底部物料的温度低于中上部物料的温度，底部分解的SiC气相组分在上升过程中不会在温度较高的物料表面结晶，而是直接进入生长腔体内，并通过扩散或对流在籽晶上结晶，提高了晶体的生长速度，且有助于4H‑SiC晶型的稳定。

本发明授权一种直流电阻加热器及SiC单晶生长装置在权利要求书中公布了：1.一种直流电阻加热器，其特征在于，沿第一方向，所述直流电阻加热器1包括底部发热体11及中部发热体12；所述第一方向为所述直流电阻加热器1的轴向； 其中，底部发热体11用于加热坩埚2内物料装填区2A底部的物料，所述中部发热体12用于加热坩埚2内物料装填区2A中上部的物料； 沿所述第一方向，所述中部发热体12单位长度所能够产生的热量大于所述底部发热体11单位长度所能够产生的热量； 沿所述第一方向，所述直流电阻加热器包括顶部发热体13，所述顶部发热体13位于所述中部发热体12远离所述底部发热体11的一端；所述顶部发热体13用于加热晶体生长区2B； 沿所述第一方向，所述顶部发热体13单位长度所能够产生的热量小于底部发热体11单位长度所能够产生的热量； 沿所述第一方向，所述中部发热体12单位长度的电阻值大于所述底部发热体11单位长度的电阻值，所述底部发热体11单位长度的电阻值大于顶部发热体13单位长度的电阻值； 所述底部发热体11、中部发热体12及顶部发热体13为一体结构； 沿所述第一方向，所述直流电阻加热器包括多个电阻层； 其中，用于加热坩埚2底部物料的多个所述电阻层属于所述底部发热体11，所述底部发热体11的多个电阻层的层间距为d1； 用于加热坩埚2中上部物料的多个所述电阻层属于所述中部发热体12，所述中部发热体12的多个电阻层的层间距为d2； 用于加热晶体生长区2B的多个所述电阻层属于所述顶部发热体13，所述顶部发热体13所对应的多个电阻层的层间距为d3； d2＜d1＜d3。

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