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华南理工大学李国强获国家专利权

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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种砷化镓异质结太阳电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118382302B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410490873.9,技术领域涉及:H10K30/10;该发明授权一种砷化镓异质结太阳电池及其制备方法和应用是由李国强;莫由天;刘勇;邓曦;郭超英设计研发完成,并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种砷化镓异质结太阳电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种砷化镓异质结太阳电池及其制备方法和应用。本发明的砷化镓异质结太阳电池的组成包括依次层叠设置的背面电极、砷化镓衬底、碳纳米管‑氧化石墨烯复合层和正面电极,碳纳米管‑氧化石墨烯复合层的组成包括碳纳米管和片状氧化石墨烯。本发明的砷化镓异质结太阳电池具有光电转换效率高、结构简单等优点,且其制备工艺简便、制备成本低,适合进行大规模工业化应用。

本发明授权一种砷化镓异质结太阳电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种砷化镓异质结太阳电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 1在砷化镓衬底的单面沉积电极材料,形成背面电极; 2将碳纳米管分散液进行抽滤制成碳纳米管膜,再将碳纳米管膜贴合在砷化镓衬底远离背面电极的那一面制成背面电极-砷化镓衬底-碳纳米管膜复合结构,再将背面电极-砷化镓衬底-碳纳米管膜复合结构作为工作电极、AgAgCl电极作为参比电极、铂电极作为对电极组成三电极体系,再置于片状氧化石墨烯分散液中进行电化学沉积,在砷化镓衬底远离背面电极的那一面形成碳纳米管-氧化石墨烯复合层; 3将电极材料沉积在碳纳米管-氧化石墨烯复合层表面,形成正面电极,即得砷化镓异质结太阳电池; 所述砷化镓异质结太阳电池的组成包括依次层叠设置的背面电极、砷化镓衬底、碳纳米管-氧化石墨烯复合层和正面电极;所述碳纳米管-氧化石墨烯复合层的组成包括碳纳米管和片状氧化石墨烯。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学,其通讯地址为:510641 广东省广州市天河区五山路381号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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