武汉华星光电技术有限公司熊文慧获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件和电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411118144.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件和电子器件是由熊文慧;李壮;宋德伟;艾飞设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过在第二方向上，使栅极绝缘层中位于沟道部的中间区域的部分的介电常数与厚度的比值，大于栅极绝缘层中位于所述沟道部的边缘区域的介电常数与厚度的比值，使得半导体器件中位于中间区域的栅极与沟道部的电容大于位于边缘区域的栅极与沟道部的电容，使得沟道部的中间区域可以先于沟道部的边缘区域开启，消除驼峰电流，减小半导体器件的亚阈值摆幅，提高半导体器件的性能，从而提高显示均一性。
本发明授权半导体器件和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 有源层，设置于所述衬底一侧，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的掺杂部； 栅极层，设置于所述衬底一侧； 栅极绝缘层，设置于所述有源层和所述栅极层之间； 其中，在所述有源层所在平面上具有相互垂直的第一方向和第二方向，所述沟道部指向所述掺杂部的方向为第一方向，在所述第二方向上，所述栅极绝缘层中位于所述沟道部的中间区域的部分的介电常数与厚度的比值，大于所述栅极绝缘层中位于所述沟道部的边缘区域的介电常数与厚度的比值； 在所述第二方向上，所述栅极绝缘层中位于所述沟道部的中间区域的部分的厚度，大于所述栅极绝缘层中位于所述沟道部的边缘区域的部分的厚度，且所述栅极绝缘层中位于所述沟道部的中间区域的部分的介电常数，大于所述栅极绝缘层中位于所述沟道部的边缘区域的部分的介电常数。
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