无锡市华辰芯光半导体科技有限公司侯继达获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市华辰芯光半导体科技有限公司申请的专利一种高偏振度的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119419586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510014221.2，技术领域涉及：H01S5/062；该发明授权一种高偏振度的半导体激光器是由侯继达;李明欣;魏明设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高偏振度的半导体激光器在说明书摘要公布了：本申请涉及激光器的技术领域，尤其是涉及一种高偏振度的半导体激光器，包括从下到上依次设置的N面电极、衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层和P面电极，欧姆接触层上设有电流注入区，电流注入区内设有若干限制区，限制区呈线性分布于电流注入区的两侧形成限制层，电流注入区每侧设有多层限制层，且限制层和限制层之间留有间隙，同一限制层内的限制区与限制区之间留有间隙形成电流注入窗口，相邻两限制层内的限制区交错设置。电流注入区内设置的若干限制区，能够阻止电流的注入，从而能够抑制TM模式的激射。而根据TE%=TETE+TM的公式可知，TM减弱后可对应增强TE偏振度。
本发明授权一种高偏振度的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种高偏振度的半导体激光器，包括从下到上依次设置的N面电极1、衬底2、缓冲层3、下限制层4、下波导层5、量子阱有源层6、上波导层7、上限制层8、欧姆接触层9和P面电极10，其特征在于：所述欧姆接触层9上设有电流注入区11，所述电流注入区11包括朝向P面电极10的水平面，水平面包括两条长边和两条短边，所述水平面内设有若干对称分布于两条长边处的限制层，所述限制层与长边相平行，所述限制层由若干限制区12构成，所述限制区12沿长边方向依次排布，同一限制层内的限制区12与限制区12之间留有间隙形成电流注入窗口13，相邻两限制层内的限制区12交错设置，每条长边旁设有多层限制层，且限制层和限制层之间留有间隙。
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