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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储单元的侧墙结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411497169.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权存储单元的侧墙结构及其制造方法是由王会一;周海洋;程国庆;沈权豪设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元的侧墙结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种存储单元的侧墙结构及其制造方法。方法包括以下步骤：提供形成有多个存储单元的半导体结构，相邻两个存储单元之间相间隔；毯式沉积形成第一氧化层；毯式沉积形成第一氮化硅层；自对准刻蚀第一氮化硅层，刻蚀去除覆盖在正面上的第一氮化硅层，并刻蚀减薄覆盖在相邻存储单元之间间隔表面的第一氧化层形成第二氧化层，保留覆盖在存储单元侧面上的第一氮化硅层形成第一氮化硅侧墙；毯式沉积形成第二氮化硅层；自对准刻蚀第二氮化硅层，刻蚀去除覆盖在正面上的第二氮化硅层，保留覆盖在存储单元侧面上的侧面上的第二氮化硅形成第二氮化硅侧墙。

本发明授权存储单元的侧墙结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元的侧墙结构的制造方法，其特征在于，所述存储单元的侧墙结构的制造方法包括以下步骤： 提供形成有多个存储单元的半导体结构，相邻两个存储单元之间相间隔； 毯式沉积形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖在所述存储单元的表面和相邻存储单元之间的间隔表面； 毯式沉积形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖在所述氧化层的表面上； 自对准刻蚀所述第一氮化硅层，刻蚀去除覆盖在正面上的第一氮化硅层，并刻蚀减薄覆盖在相邻存储单元之间间隔表面的第一氧化层形成第二氧化层，保留覆盖在所述存储单元侧面上的第一氮化硅层形成第一氮化硅侧墙； 毯式沉积形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖在所述第一氮化硅侧墙的表面上和所述第二氧化层的表面上； 自对准刻蚀所述第二氮化硅层，刻蚀去除覆盖在正面上的第二氮化硅层，保留覆盖在所述存储单元侧面上的侧面上的第二氮化硅形成第二氮化硅侧墙；位于所述第二氮化硅侧墙下的第二氧化层与位于所述第一氮化硅侧墙下的第一氧化层之间相接处形成台阶。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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