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龙图腾网获悉无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种多晶硅熔丝电阻的磷掺杂制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663926.9，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权一种多晶硅熔丝电阻的磷掺杂制备方法是由张可可;袁源;吴晓鸫;孙建洁;吴建伟设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶硅熔丝电阻的磷掺杂制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种多晶硅熔丝电阻的磷掺杂制备方法。主要包括如下步骤：a用LPCVD生长多晶硅薄膜；b用磷掺杂炉管生成掩蔽氧化层；c用三氯氧磷作为掺杂源掺杂；d在多晶硅表面形成磷杂质e磷杂质再分布形成均匀掺杂电阻可控的多晶硅。本发明制备的多晶硅熔丝电阻掺杂工艺，过程可控性强，制备路程简单易操作，适用于熔丝器件的制造。

本发明授权一种多晶硅熔丝电阻的磷掺杂制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅熔丝电阻的磷掺杂制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：采用LPCVD的方法，通入硅烷气体，在600℃~630℃温度下，在硅片表面生长一定厚度的多晶硅薄膜； 步骤S2：使用炉管设备，先通入30min一定比例的高纯氮气和氧气，在950℃温度下，以在多晶硅薄膜表面生长一层薄的二氧化硅掩蔽层； 步骤S3：在950℃温度下，再通入20min~40min一定比例的高纯氮气、氧气和氮气携带的三氯氧磷气体，以使三氯氧磷和氧气反应后生成的五氧化二磷，透过二氧化硅掩蔽层进入多晶硅薄膜； 步骤S4：在950℃温度下，通入60min一定比例的高纯氮气和氧气，以使五氧化二磷和多晶硅反应，生成磷杂质； 步骤S5：在950℃温度下，通入60min高纯氮气，以使生成的磷杂质向多晶硅薄膜均匀扩散，以形成掺杂电阻可控的多晶硅； 所述步骤S1中多晶硅薄膜的生长厚度为2000nm~2500nm； 所述步骤S2中通入高纯氮气和氧气的流量比为80：3； 所述步骤S3中通入高纯氮气、氧气和氮气携带的三氯氧磷气体的流量比为60：3：10； 所述步骤S4中通入高纯氮气和氧气的流量比为12：1； 通过磷掺杂制备方法，能够制备表面电阻为3Ω□~5Ω□的掺杂多晶硅。

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