浙江大学杨洪新获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于几何结构设计诱导磁斯格明子的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119513937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411013605.4，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权一种基于几何结构设计诱导磁斯格明子的方法是由杨洪新;蒋家伟设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于几何结构设计诱导磁斯格明子的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于几何结构设计诱导磁斯格明子的方法，具体包括：在二维磁性材料中构建波纹、折叠、凹陷等几何结构，打破中心反演对称性诱导Dzyaloshinskii‑MoriyaDM相互作用，为设计磁斯格明子等拓扑磁结构提供条件；通过第一性原理计算，详细呈现被研究系统的磁性参量，包括海森堡交换耦合、DM相互作用和磁各向异性等；基于微磁学模拟，求解各种磁相互作用竞争下的磁基态，其中包括磁斯格明子等拓扑磁结构。
本发明授权一种基于几何结构设计诱导磁斯格明子的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于几何结构设计诱导磁斯格明子的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1以二维磁性材料的平面结构为基础，根据不同的几何构型的数学形式，实现曲面几何构型在原子尺度上的建模；并对于每种曲面几何构型，通过调整曲率的大小获得不同曲率的磁性曲面几何系统； 2通过第一性原理计算提取具有不同曲率的磁性曲面几何系统中的磁参数，其包括海森堡交换耦合、DM相互作用和磁各向异性； 3对不同曲率下磁参数的变化规律进行分析，得到曲率对磁性曲面几何系统磁参数的调控模式； 4参照计算得到的磁参数和曲面几何构型，对磁性原子的位置和近邻相互作用进行建模，基于微磁学模拟求解磁斯格明子基态。
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