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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申请的专利晶圆的缺陷检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411653029.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权晶圆的缺陷检测方法及装置是由万珣设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆的缺陷检测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆的缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。晶圆的缺陷检测方法，包括：对待判定的晶圆进行缺陷边界的提取，确定晶圆的缺陷的形貌信息，形貌信息包括断点数量、缺陷分布密度、每段缺陷的长度及角度；根据形貌信息生成包括多个特征矢量的缺陷密度矩阵，缺陷密度矩阵用于表征缺陷的密度变化及断点分布情况；利用缺陷判定模型对缺陷密度矩阵进行评估，得到晶圆的风险分数；将晶圆的风险分数与预设的风险阈值进行比较，将风险分数大于风险阈值的晶圆判定为出现未连续Specialpattern缺陷的晶圆。本发明能够识别未连续Specialpattern缺陷的晶圆。

本发明授权晶圆的缺陷检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的缺陷检测方法，其特征在于，包括： 对待判定的晶圆进行缺陷边界的提取，确定所述晶圆的缺陷的形貌信息，所述形貌信息包括断点数量、缺陷分布密度、每段缺陷的长度及角度； 根据所述形貌信息生成包括多个特征矢量的缺陷密度矩阵，所述缺陷密度矩阵用于表征缺陷的密度变化及断点分布情况； 利用缺陷判定模型对所述缺陷密度矩阵进行评估，得到所述晶圆的风险分数； 将所述晶圆的风险分数与预设的风险阈值进行比较，将风险分数大于所述风险阈值的晶圆判定为出现未连续Specialpattern缺陷的晶圆； 所述缺陷判定模型的数量为多个，所述利用缺陷判定模型对所述缺陷密度矩阵进行评估，得到所述晶圆的风险分数包括： 将所述缺陷密度矩阵分别输入多个所述缺陷判定模型，分别得到多个检测结果； 根据多个所述缺陷判定模型的权重将所述多个检测结果进行融合，得到所述晶圆的风险分数； 所述方法还包括： 将所述待判定的晶圆的生产工艺参数与历史数据库中第一晶圆的生产工艺参数进行匹配； 根据所述晶圆的生产工艺参数与所述第一晶圆的生产工艺参数的匹配度调整所述风险阈值，所述第一晶圆为判定出现未连续Specialpattern缺陷的晶圆。

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