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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利快速退火模拟参数调优方法、装置、计算机设备、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119541716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411436621.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权快速退火模拟参数调优方法、装置、计算机设备、存储介质是由阳王东;张逸飞;李肯立;戚瑞轩;肖国庆;李鸿露设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本快速退火模拟参数调优方法、装置、计算机设备、存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种快速退火模拟参数调优方法、装置，通过获取碳化硅参数文件；解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息；将所述系统参数信息输入图注意力网络模型GAT，形成初步升温方案；结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案；输出碳化硅退火结果。解决了现有退火过程依赖于经验性设定，难以在不同材料与工艺条件下找到最优解，无法适应现代生产需求，限制了材料性能的提升及效率优化的问题，实现了不仅能够提高退火工艺的精度和效率，还能根据实际工艺需求和历史数据，提供定制化的优化方案，满足不同用户的需求的技术效果。

本发明授权快速退火模拟参数调优方法、装置、计算机设备、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种快速退火模拟参数调优方法，其特征在于，所述方法包括： 获取碳化硅参数文件； 解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息； 将所述系统参数信息输入图注意力网络模型GAT，形成初步升温方案； 结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案； 对碳化硅材料按照所述最终升温方案进行升温； 根据所述碳化硅材料特性、工艺需求和工业数据，预测并优化保温时间； 根据碳化硅系统状态、用户需求和真实数据，预测并调优冷却路径，所述冷却路径包括冷却温度和冷却速度； 输出碳化硅退火结果； 其中，所述将所述系统参数信息输入图注意力网络模型GAT，形成初步升温方案，包括： 对所述系统参数信息进行标准化处理； 将碳化硅粒子作为所述图注意力网络模型中图的节点，并形成邻接矩阵；将碳化硅离子作为GAT模型中图的节点，并根据离子间力建立边，形成邻接矩阵;节点特征包括每个碳化硅离子的物理属性；边的权重反映节点间的相互作用强度； 将标准化处理后的所述系统参数信息作为退火过程中多个时刻的碳化硅材料状态数据输入所述图注意力网络模型； 所述结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案包括： 将节点特征和邻接矩阵输入GAT模型中； 根据模型预测结果和真实退火结果计算损失； 通过最小化损失函数更新模型参数，并迭代多个训练周期，直至损失函数收敛或达到预定精度； 将退火数据输入GAT模型，并生成最终升温方案；所述最终升温方案包括最佳升温温度区间、升温速率以及升温曲线。

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