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龙图腾网获悉泉州师范学院申请的专利一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119602077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510143641.0，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法是由陈慧彬;游振宇设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该芯片包括激光器区、电隔离区、放大反馈区和两端镀膜区，其多层生长结构包含多种功能层，模式扩展波导层有特殊结构，欧姆接触层含特定电极布局，两端镀膜区采用1550nm的AR膜。制备方法包括形成各功能区，形成激光器区涉及全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层。此发明基于InP半导体工艺平台，具有高集成度，省略中间相位区使双模输出更稳定；采用EBL刻蚀相移布拉格光栅与双端面AR镀膜，能抑制简并模式产生纯净微波信号；可通过调谐注入电流比实现双模同步或异步调谐，具备低功耗、高效率特点，适用于能效要求高的场景。

本发明授权一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片的制备方法，其特征在于，其芯片包括激光器区DFB、电隔离区、放大反馈区SOA和两端镀膜区，所述电隔离区分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连，所述激光器区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构，所述两端镀膜区分别在激光器区和所述放大反馈区的外端面； 其制备方法包括以下步骤： 形成激光器区、隔离区和放大反馈区； 形成所述激光器区包括：采用全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层； 所述多层生长结构包括依次由下到上排列的衬底层、模式扩展波导层、非掺杂下限制层、势垒层、量子阱层、非掺杂上限制层、刻蚀停止层、缓冲层、包层、能带过渡层以及欧姆接触层；所述激光器区的多层生长结构还包括光栅层，所述光栅层设于缓冲层和包层之间； 所述衬底层、所述非掺杂下限制层、所述势垒层、所述量子阱层、所述非掺杂上限制层、所述刻蚀停止层、所述缓冲层、所述包层和所述能带过渡层设置在不同区域，且属于同层的生长结构相连为一体； 所述模式扩展波导层包括沿预设方向平行间隔设置的两个波导部； 所述波导部包括上盖部和接触部，所述接触部设置在所述上盖部远离所述衬底层的一侧，相邻设置在不同区域的所述上盖部一体相连，相邻设置在不同区域的所述接触部相互独立； 所述两端镀膜区均采用1550nm的AR膜； 采用EBL刻蚀相移布拉格光栅与双端面AR镀膜，能抑制简并模式产生纯净微波信号。

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