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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申请的专利晶圆的缺陷检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411828384.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权晶圆的缺陷检测方法及装置是由万珣设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆的缺陷检测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆的缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。缺陷检测方法，包括：获取每片晶圆表面的缺陷数据，缺陷数据包括缺陷的类型、尺寸和位置坐标；对同一批次晶圆进行统一规则的分区，每一晶圆被划分为I个区域，计算每一区域的缺陷密度值，第i区域的缺陷密度值由第i区域的缺陷数据和第i区域的面积决定，第i区域的缺陷数据为同一批次的所有晶圆在第i区域的缺陷数据的汇总；将各区域的缺陷密度值与缺陷密度阈值进行比对，若存在区域的缺陷密度值为对应的缺陷密度阈值的N倍以上，或，该批次的M个以上晶圆的同一区域的缺陷密度值大于对应的缺陷密度阈值，将该批次晶圆判定为异常晶圆。本发明能够检测出晶圆的批次性缺陷。

本发明授权晶圆的缺陷检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的缺陷检测方法，其特征在于，包括： 获取每片晶圆表面的缺陷数据，所述缺陷数据包括缺陷的类型、尺寸和位置坐标； 对同一批次晶圆进行统一规则的分区，每一晶圆被划分为I个区域，计算每一区域的缺陷密度值，其中，第i区域的所述缺陷密度值由第i区域的缺陷数据和第i区域的面积决定，第i区域的缺陷数据为同一批次的所有晶圆在第i区域的缺陷数据的汇总，i大于0小于I； 将各区域的缺陷密度值与缺陷密度阈值进行比对，若存在区域的缺陷密度值为对应的缺陷密度阈值的N倍以上，或，该批次的M个以上晶圆的同一区域的缺陷密度值大于对应的缺陷密度阈值，将该批次晶圆判定为异常晶圆，其中，M和N为正整数； 所述计算每一区域的缺陷密度值包括： 使用核密度估计方法根据每片晶圆表面的缺陷数据计算每一区域的缺陷密度值； 获取所述缺陷密度阈值包括： 获取历史正常批次晶圆的缺陷数据，使用核密度估计方法根据每片正常晶圆表面的缺陷数据计算每一区域的缺陷密度阈值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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