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龙图腾网获悉山西浙大新材料与化工研究院;太原理工大学申请的专利多结级联量子点垂直腔面发射激光器结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411872002.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权多结级联量子点垂直腔面发射激光器结构及制备方法是由董海亮;许并社;贾志刚;贾伟设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本多结级联量子点垂直腔面发射激光器结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及量子点有源区的激光器技术领域，以量子阱为有源区的垂直腔面发射激光器温度稳定性通常也较差，单结量子点垂直腔面发射激光器存在输出功率低、电光转换效率低的问题；本发明提供一种多结级联量子点垂直腔面发射激光器结构及制备方法，具有多结级联量子点有源区结构的氧化限制型垂直腔面发射激光器不仅能够提高对载流子的限制能力，还能够有效降低光电损耗，降低能量损耗，量子点有源区结构提高了有源区载流子的限制能力和温度稳定性，通过利用隧道结将有源区串联在同一谐振腔内，在电阻以及吸收损耗没有成倍提高的同时，显著提高了输出功率和电光转换效率。

本发明授权多结级联量子点垂直腔面发射激光器结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多结级联量子点有源区的垂直腔面发射激光器结构，其特征在于：包括n-GaAs衬底1及沿生长方向依次设置的n-GaAs缓冲层2、n-分布布拉格反射镜3、Al0.6Ga0.4As空间层4、量子点有源区层5、Al0.6Ga0.4As空间层6、p-Al0.98Ga0.02As氧化限制层7、Al0.6Ga0.4As空间层8、p-Al0.05Ga0.95As隧道结层9、n-GaAs隧道结层10、Al0.6Ga0.4As空间层11、量子点有源区层12、Al0.6Ga0.4As空间层13、p-Al0.98Ga0.02As氧化限制层14、p-分布布拉格反射镜15和p-GaAs盖层16，其中： 所述n-GaAs缓冲层2在n-GaAs衬底1上生长，所述n-分布布拉格反射镜3在n-GaAs缓冲层2上生长，所述Al0.6Ga0.4As空间层4在n-分布布拉格反射镜3上生长，所述量子点有源区层5在Al0.6Ga0.4As空间层4上生长，所述Al0.6Ga0.4As空间层6在量子点有源区层5上生长，所述p-Al0.98Ga0.02As氧化限制层7在Al0.6Ga0.4As空间层6上生长，所述Al0.6Ga0.4As空间层8在p-Al0.98Ga0.02As氧化限制层7上生长，所述p-Al0.05Ga0.95As隧道结层9在Al0.6Ga0.4As空间层8上生长，所述n-GaAs隧道结层10在p-Al0.05Ga0.95As隧道结层9上生长，所述Al0.6Ga0.4As空间层11在n-GaAs隧道结层10上生长，所述量子点有源区层12在Al0.6Ga0.4As空间层11上生长，所述Al0.6Ga0.4As空间层13在量子点有源区层12上生长，所述p-Al0.98Ga0.02As氧化限制层14在Al0.6Ga0.4As空间层13上生长，所述p-分布布拉格反射镜15在p-Al0.98Ga0.02As氧化限制层14上生长，所述p-GaAs盖层16在p-分布布拉格反射镜15上生长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西浙大新材料与化工研究院;太原理工大学，其通讯地址为：030032 山西省太原市小店区正阳街87号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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