北京大学陈焕卿获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种垂直腔面发射激光器的封装方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119787084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411963419.7，技术领域涉及：H01S5/02315；该发明授权一种垂直腔面发射激光器的封装方法及装置是由陈焕卿;陈心尔;陈伟华;胡晓东设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器的封装方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种垂直腔面发射激光器的封装方法及装置，属于半导体激光器芯片封装工艺领域。本发明在VCSEL芯片的顶部额外加装封装散热罩，采用封装散热罩、支撑连接块和底部热沉部件将VCSEL芯片上、下包围，本发明将器件顶部的散热模式由低效向空气进行热辐射调整为经由高热导率固体材料进行热传导。与现有技术相比，本发明可以有效地增加热源中心附近介质的导热能力，显著降低了顶部DBR材料对热量的阻隔效应。此外本发明还利用通孔内的倒角结构和二维透明导热材料进一步增加顶部热流的横向分量，提高VCSEL芯片热量向顶部两侧流动的效率。
本发明授权一种垂直腔面发射激光器的封装方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的封装方法，其特征在于，采用封装散热罩和底部热沉部件将VCSEL芯片上、下包围，所述封装散热罩包括支撑连接块和散热桥结构，其中支撑连接块为一空芯柱体，散热桥结构为一盖体，散热桥结构设置在支撑连接块和VCSEL芯片顶部，在散热桥结构的中心区域设有倒角通孔，且在所述散热桥结构上设有若干金属埋孔，具体封装步骤包括如下： 1将底部热沉部件对准封装管座中心固晶； 2将VCSEL芯片和支撑连接块通过合金焊料固定到底部热沉部件上； 3将散热桥结构放置在VCSEL芯片和支撑连接块上方，其中VCSEL芯片的DBR位于倒角通孔内，VCSEL芯片的P型金属电极位于散热桥结构的下方，散热桥结构通过合金焊料层与支撑连接块固定连接； 4所述散热桥结构的金属埋孔通过合金焊料与VCSEL芯片的P型金属电极连接，将正极接线柱与散热桥结构的金属埋孔用第一金线连接，将负极接线柱与底部热沉部件上合金焊料用第二金线连接，形成电学通路。
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