北京大学唐克超获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411963414.4，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件及其制备方法是由唐克超;周粤佳;黄如设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件及其制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明由FeNAND存储器和微加热器组成，利用微加热器产生的焦耳热，能够恢复由于写入循环导致的FeNAND器件疲劳，从而有效优化FeNAND的耐久性，同时不影响FeNAND存储器的存储密度。本发明带有微加热器的FeNAND器件与先进结点三维NAND存储技术工艺兼容，没有引入额外的工艺代价，对存储密度影响较小，可以方便地应用于三维FeNAND存储技术中。
本发明授权一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件，其特征在于，包括硅衬底、栅叠层结构、栅金属电极和源、漏区域；所述硅衬底从下至上包括底层硅、埋氧层和顶层硅，所述顶层硅上方设有多个栅叠层结构，所述栅叠层结构从下至上包括氧化铝沟道界面层、铪锆氧铁电层和氧化铝栅界面层：所述氧化铝沟道界面层位于顶层硅上，所述氧化铝沟道界面层上为铪锆氧铁电层，所述铪锆氧铁电层上为氧化铝栅界面层，其中一个栅叠层结构作为FeNAND器件的栅极，该栅叠层下方的顶层硅的两侧设有FeNAND器件的源、漏区域，该栅叠层结构上为栅金属电极，其他栅叠层结构以及其上设有的导电细丝作为微加热器，所述导电细丝为波浪状或锯齿状位于FeNAND器件栅极的两侧，在所述顶层硅的上方填充钝化层材料，所述钝化层中留有栅金属电极、FeNAND器件的源和漏区域以及微加热器的接触孔，接触金属填满所述接触孔并覆盖在钝化层上。
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