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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789511B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411658383.1，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器是由刘志宏;陈俊宇;周瑾;冯欣;杜航海;邢伟川;周弘;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器，器件结构自下而上包括衬底、第一晶体管、石墨烯层和第二晶体管，第一源电极和第一漏电极沿水平方向布置在n管GaN沟道层的两端，第二源电极和第二漏电极沿水平方向布置在p管GaN沟道层的两端，在第一晶体管与第二晶体管之间的石墨烯层上布置可同时控制第一晶体管与第二晶体管的栅电极。在此结构基础上，将n型和p型晶体管的漏极用空气桥结构相连接并作为输出端，栅极作为输入端，p型晶体管的源极接高电平，n型晶体管的源极接低电平，实现反相器，其栅控能力强，漏电小，具有高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。

本发明授权一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器在权利要求书中公布了：1.一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器，其特征在于：包括衬底10、第一晶体管20、第二晶体管40和石墨烯层31，其第一晶体管20、石墨烯层31和第二晶体管40依次垂直堆叠在衬底10之上，第一晶体管20为n型晶体管，包括GaN缓冲层21、n管GaN沟道层22、n管AlGaN势垒层23、第一源电极24和第一漏电极25，第一源电极24和第一漏电极25沿水平方向布置在n管GaN沟道层22的两端，在n管GaN沟道层22与n管AlGaN势垒层23之间的异质结界面，形成二维电子气2DEG，2DEG区域将作为n型沟道，即第一晶体管20的导电沟道，第二晶体管40为p型晶体管，包括p管GaN掺杂层41、p管GaN沟道层42、p管AlGaN势垒层43、第二源电极44和第二漏电极45，第二源电极44和第二漏电极45沿水平方向布置在p管GaN沟道层42的两端，在p管GaN沟道层42与p管AlGaN势垒层43之间的异质结界面，空穴积累形成二维空穴气2DHG，2DHG区域将作为p型沟道，即第二晶体管40的导电沟道，n型和p型沟道垂直堆叠，在第一晶体管20和第二晶体管40之间设置石墨烯层31，在石墨烯层31水平两侧布置栅电极32，石墨烯层31具有良好的导电特性，和栅电极32一起作为第一晶体管20和第二晶体管40的栅电极32，实现同时对n型沟道和p型沟道的控制，石墨烯层31的存在使栅电极32对沟道层的控制更加有效，更精确地控制p管和n管的电流，将栅电极32作为输入端，第一漏电极25和第二漏电极45用金属相连接组成空气桥50结构并作为输出端，第一源电极24接低电平，第二源电极44接高电平，构成反相器，实现输出端与输入端逻辑反向。

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