武汉新芯集成电路股份有限公司朱鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利并联结构电容器及其故障修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411975415.0，技术领域涉及：H01G4/38；该发明授权并联结构电容器及其故障修复方法是由朱鹏;叶子露;张春瑞;盛备备;胡胜设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本并联结构电容器及其故障修复方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种并联结构电容器及其故障修复方法。所述并联结构电容器中，至少一个电容支路具有与电容单元串联连接的可变电阻，所述可变电阻包括相变材料，所述可变电阻在相变材料从晶态转变为非晶态时阻值增大，在具有可变电阻的电容支路发生短路故障时，可以通过使相变材料从晶态转变为非晶态来使可变电阻阻值增大，改变相应电容支路的短路状态，实现故障修复，并且所述可变电阻不需要占用额外的衬底面积，可省去金属熔丝，避免导致制造流程繁琐，避免影响产品设计及小型化，有助于提升产品良率和生产效率。本发明提供的并联结构电容器的故障修复方法针对上述并联结构电容器，具有类似的优点。
本发明授权并联结构电容器及其故障修复方法在权利要求书中公布了：1.一种并联结构电容器，其特征在于，所述并联结构电容器包括并联设置的至少两个电容支路，每个所述电容支路上具有一电容单元，其中，至少一个所述电容支路还具有与所述电容单元串联连接的可变电阻，所述可变电阻包括相变材料，所述可变电阻在所述相变材料从晶态转变为非晶态时阻值增大，对于具有所述可变电阻的所述电容支路，当所述电容单元短路时，通过使所述可变电阻的阻值增大至大于一设定值，降低所述短路对发生所述短路的电容支路以外的电容支路正常工作的影响。
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