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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种化学气相沉积制备单层单晶二硫化铼的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510040108.1，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种化学气相沉积制备单层单晶二硫化铼的方法是由王珊珊;蒋俊杰设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化学气相沉积制备单层单晶二硫化铼的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种化学气相沉积制备单层单晶二硫化铼的方法，涉及二维材料制备领域，其技术要点为：包括原料准备、原料装载、控温反应、结束取样等步骤；本发明利用面对面堆叠衬底构建空间限域生长空间，采用双温区管式炉石英管制备得到单层单晶ReS2，制备过程简单易操作，过程可控，不仅在多种衬底表面获得了厚度均匀、结晶性高的单层ReS2，而且在氧化镁001表面、实现了单层单晶ReS2的可控制备。

本发明授权一种化学气相沉积制备单层单晶二硫化铼的方法在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积制备单层单晶二硫化铼的方法，其特征是：所述方法包含以下步骤： S1、衬底准备：准备旋涂基底和目标基底，在旋涂基底上旋涂高铼酸钠溶液，将目标基底放置在旋涂基底上方，且旋涂基底的抛光面与目标基底的抛光面面对面放置形成狭缝，构成空间限域反应腔； S2、前驱体预处理和装载：将硫粉装入刚玉坩埚熔化后重结晶作为硫源；将硫源置于双温区管式炉石英管靠近进气口一端，将空间限域反应腔置于双温区管式炉石英管靠近出气口一端，封闭进气和出气端法兰后，再通入预定流量的惰性气体以完全置换石英管中的空气； S3、控制反应：将惰性气体通入双温区管式炉石英管，并分别将双温区管式炉石英管高温区的中心温度和双温区管式炉石英管低温区的中心温度加热达到设定温度，再调整石英管与炉体的相对位置，使空间限域反应腔与硫源容器反应15～30min； S4、结束取样：反应结束后，调整惰性气体的流量，冷却双温区管式炉石英管，待双温区管式炉石英管冷却至室温后，取出空间限域反应腔，在目标基底表面得到单层ReS2； 所述旋涂基底为c面蓝宝石，所述目标基底的材料为c面蓝宝石或a面蓝宝石或钛酸锶或氧化镁； 所述旋涂基底在旋涂高铼酸钠溶液前进行氧等离子体处理50s，功率设置为50W，所述高铼酸钠溶液浓度为0.0025～0.05molL； 在步骤S1中，使用氧化镁作为目标基底时，在S4中得到的单层ReS2晶粒为单晶。

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