华中科技大学李鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120558452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511047001.6，技术领域涉及：G01L9/12；该发明授权一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法是由李鹏;张慧毅;卢文龙;尤政设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法，属于气压传感器技术领域，包括基座、电极和异质结；基座中部设置有微腔，异质结对应微腔设置，该异质结包括与电极接触连接的单层石墨烯薄膜和与单层石墨烯接触连接的单层二硫化钼薄膜，以在气压发生变化时，微腔内外形成气压差作用于单层二硫化钼薄膜表面，二硫化钼将机械形变转化为电信号，对石墨烯载流子浓度进行调控，同时在石墨烯提供高速载流子传输通道以及石墨烯与二硫化钼所形成异质结界面的能带调控的三重协同效应下，进而通过不同气压环境下对载流子浓度的不同调控作用来反应气压的变化，实现对弱气压环境下高精度、高灵敏度的气压监测。
本发明授权一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二硫化钼异质结的气压传感器，其特征在于，包括基座、电极和异质结； 所述电极设置在所述基座上，所述基座中部设置有微腔； 所述异质结包括单层石墨烯薄膜、单层二硫化钼薄膜和绝缘支撑层；所述单层石墨烯薄膜设置在所述微腔的两侧，并分别与所述微腔两侧的所述电极接触连接；所述单层二硫化钼薄膜经机械剥离覆盖在所述微腔上，且其两端分别与所述微腔两侧的所述单层石墨烯薄膜接触连接；所述绝缘支撑层设置在所述微腔与所述单层二硫化钼薄膜之间，并覆盖在所述微腔上，以对所述单层二硫化钼薄膜进行支撑； 当气压发生变化时，微腔内外形成气压差作用于单层二硫化钼薄膜表面，二硫化钼将机械形变转化为电信号，对石墨烯载流子浓度进行调控，同时在石墨烯提供高速载流子传输通道以及石墨烯与二硫化钼所形成异质结界面的能带调控的三重协同效应下，通过不同气压环境下对载流子浓度的不同调控作用来反应气压的变化。
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