晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司赵广获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120559940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511055027.5，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法是由赵广;罗招龙;岳浩设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法，所述光罩具有沿第一方向间隔排布的多个预设曝光区；相邻预设曝光区之间设置有第一遮光区；所述预设曝光区或所述第一遮光区具有第一方向上的宽度，以及沿第二方向延伸的长度；所述长度大于所述宽度；其中，所述预设曝光区包括沿所述第二方向间隔排布的多个目标曝光区；相邻目标曝光区之间设置有第二遮光区；所述第二遮光区的尺寸小于所述光罩的最小特征尺寸。通过在光罩的预设曝光区的长度延伸方向上间隔设置多个亚分辨率的第二遮光区，使得曝光后得到的光刻胶图形结构在与第二遮光区相对应位置处的底部较宽，从而能够提升光刻胶图形结构的稳定性，改善倒线问题。
本发明授权光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光罩，其特征在于，所述光罩具有沿第一方向间隔排布的多个预设曝光区；相邻预设曝光区之间设置有第一遮光区；所述预设曝光区或所述第一遮光区具有第一方向上的宽度，以及沿第二方向延伸的长度；所述长度大于所述宽度；其中，所述第一方向为所述预设曝光区或所述第一遮光区的排布方向；所述第二方向为同一光罩平面上与所述第一方向垂直的方向； 其中，所述预设曝光区包括沿所述第二方向间隔排布的多个目标曝光区；相邻目标曝光区之间设置有第二遮光区；所述第二遮光区的尺寸小于所述光罩的最小特征尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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