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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利超表面偏振掩模版及基于超表面偏振掩模版的光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120559941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511075070.8，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权超表面偏振掩模版及基于超表面偏振掩模版的光刻方法是由岳夫永;李相平设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本超表面偏振掩模版及基于超表面偏振掩模版的光刻方法在说明书摘要公布了：本发明公开了超表面偏振掩模版及基于超表面偏振掩模版的光刻方法，所述超表面偏振掩模版由多个晶胞根据预设的超表面掩模版建模图排列形成；其中，所述预设的超表面掩模版建模图包括设置有垂直图案区域的外部图和设置有水平图案区域的内部图，与所述外部图对应的晶胞采用第一方式排列，与所述水平图案对应的晶胞采用与所述第一方式成预定角度的第二方式排列；每个晶胞包括衬底和置于衬底上的纳米鳍。基于超表面偏振掩模版可以实现基于超表面偏振掩模版的光刻方法，得到目标图案，并使晶圆上的曝光图案准确。

本发明授权超表面偏振掩模版及基于超表面偏振掩模版的光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种超表面偏振掩模版，其特征在于，所述超表面偏振掩模版由多个晶胞根据预设的超表面掩模版建模图排列形成； 其中，所述预设的超表面掩模版建模图包括设置有垂直图案区域的外部图和设置有水平图案区域的内部图，与所述外部图对应的晶胞采用第一方式排列，与所述水平图案对应的晶胞采用与所述第一方式成预定角度的第二方式排列； 每个晶胞包括衬底和置于衬底上的纳米鳍； 所述晶胞上的纳米鳍的形状为长方体或椭圆柱，所述纳米鳍为二氧化铪材料，所述衬底为二氧化硅材料； 当所述纳米鳍的形状为长方体时，对所述纳米鳍的尺寸设置过程包括： 扫描所述纳米鳍的长度和高度，获取第一透射分布图，在所述第一透射分布图中，选取所述第一透射分布图中透射率最高的情况对应的高度作为所述纳米鳍的长方体高度； 基于所述长方体高度，扫描所述纳米鳍的长度和宽度，得到第二透射分布图； 所述晶胞在水平偏振光和垂直线偏振光照射下，扫描所述纳米鳍的长度和宽度，获取对应的相位分布图，并对所述相位分布图的对应位置取差值，得到第一相位差值图； 从所述第一相位差值图中选取相位差在π附近预设范围内的长度和宽度坐标，在所述第二透射分布图中分别获取相位差在π附近预设范围内的长度和宽度对应的透射率，选取透射率最高的情况对应的长度和宽度作为对应的长方体长度和长方体宽度。

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