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龙图腾网获悉上海芯东来半导体科技有限公司申请的专利一种套刻误差补偿方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120595544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511115280.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种套刻误差补偿方法及系统是由曾超;王野;杨尚勇;王印勋设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种套刻误差补偿方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种套刻误差补偿方法及系统。所述方法包括：STEP1：获取目标硅片的每个曝光场中心标记的X向坐标设定值、Y向坐标设定值、X向套刻误差和Y向套刻误差；STEP2：获取所述目标硅片的每个标记的X向坐标设定值、Y向坐标设定值、X向套刻误差和Y向套刻误差；STEP3：根据上述STEP2的所有数据计算一组场内参数和场间参数；STEP4：根据上述STEP1和STEP2的数据，计算一组场间参数漂移量；STEP5：根据STEP4的场间参数漂移量对STEP3的场间参数进行修正；STEP6：将STEP3的场内参数和STEP5的场间参数作为光刻机套刻误差补偿参数。根据本发明能够解决现有针对于线性参数引起的套刻误差的补偿方法因受硅片对准分系统测量结果漂移的影响而补偿效果差的问题。

本发明授权一种套刻误差补偿方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，包括： STEP1：获取目标硅片的每个曝光场中心标记的X向坐标设定值、Y向坐标设定值、X向套刻误差和Y向套刻误差； STEP2：获取所述目标硅片的每个标记的X向坐标设定值、Y向坐标设定值、X向套刻误差和Y向套刻误差； 上述每个标记的X向套刻误差，由该标记X向坐标测量值减去该标记X向坐标设定值获得； 上述每个标记的Y向套刻误差，由该标记Y向坐标测量值减去该标记Y向坐标设定值获得； STEP3：根据上述STEP2的所有数据计算一组场内参数和场间参数； STEP4：根据上述STEP1的所有数据，以及STEP2中的每个曝光场中心标记的X向坐标设定值、Y向坐标设定值、X向套刻误差和Y向套刻误差，计算一组场间参数漂移量； STEP5：根据STEP4的场间参数漂移量对STEP3的场间参数进行修正； STEP6：将STEP3的场内参数和STEP5的场间参数作为光刻机套刻误差补偿参数； 所述场内参数包括场内X向倍率、场内Y向倍率和场内X向旋转、场内Y向旋转，所述场间参数包括X向平移、Y向平移，场间X向倍率、场间Y向倍率和场间X向旋转、场间Y向旋转，平移不区分场内和场间； STEP3基于以下公式确定场内参数和场间参数： DX_2=Tx_2+pos_x*Mx_1-pos_y*Rx_1+Pos_x*Mwx_2-Pos_y*Rwx_2； DY_2=Ty_2+pos_y*My_1+pos_x*Ry_1+Pos_y*Mwy_2+Pos_x*Rwy_2； 上式中，DX_2为目标标记的X向套刻误差，由目标标记X向坐标测量值减去目标标记X向坐标设定值； DY_2为目标标记的Y向套刻误差，由目标标记Y向坐标测量值减去目标标记Y向坐标设定值； 目标标记的场内X向坐标设定值pos_x=POS_x-Pos_x，POS_x为目标标记的X向坐标设定值，Pos_x为目标标记对应的曝光场中心标记的X向坐标设定值； 目标标记的场内Y向坐标设定值pos_y=POS_y-Pos_y，POS_y为目标标记的Y向坐标设定值，Pos_y为目标标记对应的曝光场中心标记的Y向坐标设定值； Mx_1和My_1分别为场内X向倍率和场内Y向倍率，Rx_1和Ry_1分别为场内X向旋转和场内Y向旋转； Tx_2和Ty_2分别为X向平移和Y向平移，Mwx_2和Mwy_2分别为场间X向倍率和场间Y向倍率，Rwx_2和Rwy_2分别为场间X向旋转和场间Y向旋转。

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