季华实验室张传林获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120736476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511269916.1，技术领域涉及：C01B19/00；该发明授权一种三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料及其制备方法是由张传林;路璐;米少波设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体材料制备技术领域，具体涉及一种三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料及其制备方法。其中，三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料的制备方法包括如下步骤：S001.以摩尔比为3:4:7的锗粉、锑粉、硒粉为原料，在真空条件下，升温至900～950℃，于该温度保温12～24h；S002.保温结束后，以1～5℃min降温速率降温至475～500℃，并于该温度保温3～5天；保温结束后，随炉冷却或淬火冷却至室温，得到化学式为Ge3Sb4Se7的层状三元硒化物单相材料。本发明制得的三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料为单相材料，具有低热导率和低电阻率的特性，因此在热电器件、光电探测等领域有应用潜力。
本发明授权一种三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三元层状硒化物Ge3Sb4Se7半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S001.以摩尔比为3:4:7的锗粉、锑粉、硒粉为原料，在真空条件下，升温至900～950℃，于该温度保温12～24h； S002.保温结束后，以1～5℃min降温速率降温至475～500℃，并于该温度保温3～5天；保温结束后，随炉冷却或淬火冷却至室温，得到化学式为Ge3Sb4Se7的层状三元硒化物单相材料。
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