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龙图腾网获悉海南大学三亚研究院申请的专利用于碳化硅外延炉的连续生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223496706U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423110928.3，技术领域涉及：C30B25/02；该实用新型用于碳化硅外延炉的连续生长装置是由陈豪杰;范谞;余乐俊;吕威;周辜名设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于碳化硅外延炉的连续生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种用于碳化硅外延炉的连续生长装置，包括：传输腔室；衬底片暂存箱，设置在传输腔室的第一侧；衬底片装配腔，设置在衬底片暂存箱与传输腔室之间；第一分离台，设置在衬底片装配腔中；承载环，适于承载衬底片且设置在第一分离台上，用于实现衬底片与承载环的拼接和分离；外延片暂存箱，设置在传输腔室的第二侧；外延片冷却腔，设置在外延片暂存箱与传输腔室之间；第二分离台，设置在外延片冷却腔中，用于实现外延片与承载环的分离；机械臂，设置在传输腔室内；反应腔室，设置在传输腔室的第三侧。本实用新型可一次性导入多片晶片并连续生长提高了生产效率，晶片放置及传递全机械化减少了人工的干扰，提升产品良率并降低生产成本。

本实用新型用于碳化硅外延炉的连续生长装置在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅外延炉的连续生长装置，其特征在于，包括： 传输腔室，用于提供传递晶片的环境； 衬底片暂存箱，设置在所述传输腔室的第一侧，所述衬底片暂存箱用于容置第一卡塞，所述第一卡塞内放置有若干衬底片； 衬底片装配腔，设置在所述衬底片暂存箱与所述传输腔室之间； 第一分离台，设置在所述衬底片装配腔中，所述第一分离台具有可升降的动作端； 承载环，适于承载所述衬底片且设置在所述第一分离台上，通过所述第一分离台的升降以实现所述衬底片与承载环的拼接和分离； 外延片暂存箱，设置在所述传输腔室的第二侧，所述外延片暂存箱用于容置第二卡塞，所述第二卡塞用于放置生长完成的外延片； 外延片冷却腔，设置在所述外延片暂存箱与所述传输腔室之间； 第二分离台，设置在所述外延片冷却腔中，所述第二分离台亦具有可升降的动作端，通过所述第二分离台的升降以实现所述外延片与承载环的分离； 机械臂，设置在所述传输腔室内，用于实现晶片的传递； 反应腔室，设置在所述传输腔室的第三侧，用于提供所述衬底片生长的环境。

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