台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光子装置结构及光子半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223501198U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422365751.5，技术领域涉及：G02B6/12；该实用新型光子装置结构及光子半导体装置是由廖诗瑀设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本光子装置结构及光子半导体装置在说明书摘要公布了：一种光子装置结构及光子半导体装置。光子装置结构包括具有顶侧氧化物层的基板及位于顶侧氧化物层上的硅层。光子装置结构还包括位于硅层中且包括接触孔的肋状波导组件。接触孔包括接触孔深度及接触孔沟槽，接触孔沟槽位于硅层中且具有第一侧壁、第二侧壁及底表面。接触孔还包括位于接触孔沟槽中的接触蚀刻停止层。
本实用新型光子装置结构及光子半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种光子装置结构，其特征在于，包含： 一基板，包含位于该基板上的一顶侧氧化物层； 一硅层，位于该顶侧氧化物层上； 一肋状波导组件，位于该硅层中，该肋状波导组件具有多个接触孔，其中所述多个接触孔的每一者包含： 一上部分，位于该硅层中，该上部分具有一第一宽度；及 一下部分，包含位于该硅层中的一接触孔沟槽，该下部分具有比该第一宽度窄的一第二宽度；及 一接触蚀刻停止层，位于该接触孔沟槽中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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