唐云俊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉唐云俊申请的专利一种XeF2刻蚀设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223501815U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422401871.6，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型一种XeF2刻蚀设备是由唐云俊设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种XeF2刻蚀设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种XeF2刻蚀设备，包括运输腔体、上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块，所述运输腔体内部设有机械手，并且分别与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块连接，且运输腔体与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块之间均设置有第二真空阀门；该XeF2刻蚀设备能够可对工件晶圆进行真空上载和转运，并且晶圆进行表面等离子体预清洁、XeF2刻蚀、再次表面等离子体预清洁、SAM沉积以及下载，从而完成整个XeF2刻蚀和SAM沉积过程，并且XeF2刻蚀和SAM沉积均能够保证均匀性。
本实用新型一种XeF2刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种XeF2刻蚀设备，其特征在于，包括： 上载腔体，其用于上载需要刻蚀的工件或晶圆，且与外界之间设置有第一真空阀门； 运输腔体，其内部设有机械手，并且分别与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块连接，且运输腔体与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块之间均设置有第二真空阀门； 沉积自组装单分子层模块，其包括沉积腔体，用于对工件或晶圆进行SAM沉积； 等离子体刻蚀腔体，其用于对工件或晶圆进行等离子体刻蚀； XeF2刻蚀工艺模块，其包括XeF2刻蚀腔体，用于对工件或晶圆进行XeF2刻蚀。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人唐云俊，其通讯地址为：浙江省嘉兴市海宁市海昌街道芯中路6号1幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励