美垦半导体技术有限公司刘利书获国家专利权
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龙图腾网获悉美垦半导体技术有限公司申请的专利功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503280U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422885050.4，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型功率器件是由刘利书;兰昊设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率器件。功率器件包括硅层、绝缘介质层和发射极金属层，硅层包括浮空P区、第一沟槽和第二沟槽，沿第二方向，第一沟槽和第二沟槽间隔平行分布，浮空P区位于第一沟槽与第一沟槽之间或第一沟槽与第二沟槽之间，绝缘介质层层叠于硅层上，绝缘介质层刻蚀形成有与浮空P区连通的多条第一接触孔，沿第一方向，多条第一接触孔间隔设置；发射极金属层层叠于绝缘介质层上，发射极金属层至少部分穿过第一接触孔与硅层连接。本申请的功率器件通过间隔设置与浮空P区连通的第一接触孔，第一接触孔降低位移电流，增强栅极对EMI和开启损耗的控制，同时未设置第一接触孔的区域，浮空P区保留了载流子注入的效果，使得导通压降较低。
本实用新型功率器件在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括： 硅层，所述硅层包括浮空P区和多个沿第一方向延伸的第一沟槽和第二沟槽，沿第二方向，所述第一沟槽和所述第二沟槽间隔平行分布，所述浮空P区位于所述第一沟槽与所述第一沟槽之间或所述第一沟槽与所述第二沟槽之间； 绝缘介质层，层叠于所述硅层上，所述绝缘介质层刻蚀形成有与所述浮空P区连通的多条第一接触孔，沿第一方向，多条所述第一接触孔间隔设置； 发射极金属层，层叠于所述绝缘介质层上，所述发射极金属层至少部分穿过所述第一接触孔与所述硅层连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美垦半导体技术有限公司，其通讯地址为：400064 重庆市南岸区美家路70号1号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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