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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910323441.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置是由陈道坤;史波;曾丹;陈兆同;何昌设计研发完成，并于2019-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置在说明书摘要公布了：本发明涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。

本发明授权一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，形成于所述衬底的一侧； GaN沟道层，形成于所述缓冲层背离所述衬底的侧面，其中，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域； AlGaN栅下势垒层，形成于所述GaN沟道层的栅极区背离所述缓冲层的一侧； 栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面； AlGaN势垒层，形成于所述GaN沟道层的非栅区域背离所述缓冲层的一侧，其中，所述AlGaN势垒层表面形成有与AlGaN势垒层欧姆接触的源极和漏极； 钝化层，覆盖于源极、漏极、栅电极和AlGaN势垒层表面； 其中，所述AlGaN栅下势垒层的铝含量等于AlGaN势垒层的铝含量，所述AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度；或者，所述AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，所述AlGaN栅下势垒层的厚度等于AlGaN势垒层的厚度；或者，所述AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，所述AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度； 所述高电子迁移率晶体管还包括p型半导体膜层，所述p型半导体膜层设置于所述栅电极和所述AlGaN栅下势垒层之间；所述AlGaN栅下势垒层和所述p型半导体膜层的侧壁均与所述AlGaN势垒层直接接触。

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