台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011169638.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件和方法是由李欣怡;洪正隆;张文;徐志安设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。公开了用于调整半导体器件中的栅极电极的有效功函数的方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，一种半导体器件，包括：沟道区域，在半导体衬底之上；栅极电介质层，在沟道区域之上；以及栅极电极，在栅极电介质层之上，该栅极电极包括：第一功函数金属层，在栅极电介质层之上，该第一功函数金属层包括铝Al；第一功函数调整层，在第一功函数金属层之上，该第一功函数调整层包括铝钨AlW；以及填充材料，在第一功函数调整层之上。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 沟道区域，在半导体衬底之上； 栅极电介质层，在所述沟道区域之上；以及 栅极电极，在所述栅极电介质层之上，所述栅极电极包括： 帽盖层； 第一功函数金属层，在所述帽盖层之上，所述第一功函数金属层包括铝Al； 第一功函数调整层，在所述第一功函数金属层之上，所述第一功函数调整层包括铝钨AlW， 其中，所述第一功函数金属层中的铝的浓度从所述第一功函数金属层与所述帽盖层之间的界面到所述第一功函数金属层的厚度的一半处减小，并然后开始增加，直到所述第一功函数金属层与所述第一功函数调整层之间的界面；以及 填充材料，在所述第一功函数调整层之上。
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