旺宏电子股份有限公司王智盟获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113611707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010423317.1，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权半导体装置及其制造方法是由王智盟;林正伟;刘光文设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、设置于衬底上的一叠层结构以及多个虚拟存储器串列结构。叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。虚拟存储器串列结构设置于半导体装置的一阶梯区，且沿着第一方向穿过叠层结构，其中阶梯区包括一本体部，且本体部包括相邻的一第一区及一第二区。在第一区中，虚拟存储器串列结构所对应的导电层的数量是介于1～10；在第二区中，虚拟存储器串列结构所对应的导电层的数量是大于10。在一俯视图中，在一相同的单位面积中，第一区的虚拟存储器串列结构的面积是大于第二区的虚拟存储器串列结构的面积。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中包括： 一衬底及设置于该衬底上的一叠层结构，该叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层；以及 多个虚拟存储器串列结构，设置于该半导体装置的一阶梯区，且沿着该第一方向穿过该叠层结构，其中该阶梯区包括一本体部，且该本体部包括相邻的一第一区及一第二区，在该第一区中，这些虚拟存储器串列结构所对应的这些导电层的数量是介于1~10；在该第二区中，这些虚拟存储器串列结构所对应的这些导电层的数量是大于10，其中 在一俯视图中，在一相同的单位面积中，该第一区的这些虚拟存储器串列结构的面积是大于该第二区的这些虚拟存储器串列结构的面积；其中，该第一区的这些虚拟存储器串列结构之间的距离小于该第二区的这些虚拟存储器串列结构之间的距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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