应用材料公司E·文卡塔苏布磊曼聂获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113936997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111197853.5，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜是由E·文卡塔苏布磊曼聂;S·E·戈特海姆;杨扬;P·曼纳;K·拉马斯瓦米;T·越泽;A·B·玛里克;S·冈迪科塔设计研发完成，并于2018-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜在说明书摘要公布了：本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8gcc的密度及小于‑500MPa的应力。
本发明授权用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜在权利要求书中公布了：1.一种处理基板的方法，包含以下步骤： 使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板，其中所述处理容积维持在介于0.5毫托与10毫托之间的压力下并且所述含烃气体混合物包括含烃前驱物和蚀刻剂气体； 通过将第一RF偏压施加于所述静电吸盘，在所述处理容积内产生等离子体，以从所述含烃混合物在所述基板上沉积碳膜，所述碳膜包含至少50％的sp3杂化碳原子，其中所述基板维持在自-50摄氏度至350摄氏度的温度下。
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